805编号支持的电脑系统-代码8052是什么意思

1.Core 2 Quad/Core 2 Duo/奔腾4/赛扬D/PentiumD什么含义

2.惠普805墨盒芯片触点编号

3.这个NANYA内存颗粒编号代表什么意思呀？

4.0x000000f4(0x00000003,0x89CF20,0x89c8FA,0x805D397E

Core 2 Quad/Core 2 Duo/奔腾4/赛扬D/PentiumD什么含义

Intel 双核CPU简介:PentiumD和酷睿系列

Intel的双核处理器分成PentiumD和酷睿系列：

PentiumEE只有840 也是PentiumD的一部分

PentiumD又分800系列和900系列，均为Netburst架构

FSB分为533MHz和800MHz两种，编号方法：

PD8x5（如805）都是533MHz FSB

PD8x0（如820）都是800MHz FSB，支持64位（EM64T）技术

1.PentiumD 800系列 代号：Smithfield ，就是两个Prescott整合在1个CPU内核里，每个CPU集成1M缓存，制程90nm，没有超线程技术，用北桥承担仲裁器，所以只有945以上的芯片组支持PentiumD处理器

2.PentiumD 900系列 代号：Presler，使用2个Cedar Mill处理器（就是65nm P4的处理器家族），制程65nm，都支持64位（EM64T）技术，每个CPU独享2M缓存，也只有945以上的主板支持PentiumD 900系列，比PentiumD 800系列强的是，PentiumD 900系列支持HT超线程技术，而且PD9x0系列还支持VT（Virtualization Techlonogy）虚拟化技术，可以虚拟1个系统，PentiumD 900的功耗比PentiumD 800低很多，同样3GHz频率： PD900系列只有214W；PD800系列要252W

Core酷睿

是Intel的新一代双核CPU，现在包括双核和四核处理器，酷睿只有14级流水线，相对于P4 Northwood 的20级和P4 Prescott的31级减少了很多，酷睿的架构是类似PentiumM Banias的低功耗高效率设计比PentiumD 系列效率高出40％，同时酷睿保留了EM64T技术。

E6000系列的FSB升级到1066MHz ，E4000系列都是800MHz FSB

同时，酷睿采用共享二级缓存的方式，减少使用前端总线进行数据交换效率更高

酷睿的编号方法：

1.开头为T的系列都是笔记本CPU，T系列的CPU中，T2xxx都是Yonah

T5xxx/T7xxx是Merom，T20xx、T2xxxE是533MHzFSB，其他是667MHz FSB

2.开头为E、X的系列都是台式机CPU

其中E开头是双核，E6000系列的FSB是1066MHz，E4000系列是800MHz FSB，X开头是四核处理器

惠普805墨盒芯片触点编号

惠普805墨盒芯片触点编号破解方法。

1、取一段3毫米宽的胶带，粘贴到电子触点第6读取芯片信息脚上。

2、将墨盒安装回打印机上，系统会加以检测，提示墨盒错误，按确定取下墨盒。

3、取6毫米宽的胶带，粘贴到电子触点第34写入芯片信息、35黑墨盒识别、36黑墨盒信息写入脚上。

4、将墨盒安装回打印机上，系统再次检测墨盒错误，按确定取下墨盒，关闭打印机电源。

5、打开打印机电源，将墨盒上的胶带全部取下，安装墨盒，计量器已经恢复。

这个NANYA内存颗粒编号代表什么意思呀？

下面这也是我网上复制来的

慢慢看吧. 也算多长点知识

把你的编号问题都给解释了

内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

0x000000f4(0x00000003,0x89CF20,0x89c8FA,0x805D397E

你看下这个吧 windows非法操作 一般的"非法操作"有两个选项："关闭"和"详细资料"。 1. 停止错误编号:0x0000000A 说明文字RQL-NOT-LESS-OR-EQUAL 通常的原因:驱动程序使用了不正确的内存地址。 解决方法： 如果无法登陆,则重新启动计算机。当出现可用的作系统列表时,按F8键。在Windows高级选项菜单屏幕上,选择"最后一次正确的配置",然后按回车键。检查是否正确安装了所有的新硬件或软件。如果这是一次全新安装,请与硬件或软件的制造商联系,获得可能需要的任何Windows更新或驱动程序。 运行由计算机制造商提供的所有的系统诊断软件,尤其是内存检查。 禁用或卸掉新近安装的硬件(RAM,适配器,硬盘,调制解调器等等),驱动程序或软件。 确保硬件设备驱动程序和系统BIOS都是最新的版本。 确保制造商可帮助你是否具有最新版本,也可帮助你获得这些硬件。 禁用BIOS内存选项,例如cache或shadow。 2. 停止错误编号:0x0000001E 说明文字:KMODE-EXPTION-NOT-HANDLED 通常的原因:内核模式进程试图执行一个非法或未知的处理器指令。 解决方法： 确保有足够的空间,尤其是在执行一次新安装的时候。 如果停止错误消息指出了某个特定的驱动程序,那么禁用他。如果无法启动计算机，应试着用安全模式启动,以便删除或禁用该驱动程序。 如果有非Microsoft支持的视频驱动程序,尽量切换到标准的VGA驱动程序或Windows提供的适当驱动程序。 禁用所有新近安装的驱动程序。 确保有最新版本的系统BIOS。硬件制造商可帮助确定你是否具有最新版本,也可以帮助你获得他。 BIOS内存选项,例如cache,shadow。 3. 停止错误编号:0x00000023或0x00000024 说明文字:FAT-FILE-SYSTEM或MTFS-FILE-SYSTEM 通常原因:问题出现在Ntfs.sys(允许系统读写NTFS驱动器的驱动程序文件)内。 解决方法：运行由计算机制造商提供的系统诊断软件,尤其是硬件诊断软件。 禁用或卸载所有的反病毒软件,磁盘碎片整理程序或备份程序。 通过在命令提示符下运行Chkdsk/f命令检查硬盘驱动器是否损坏,然后重新启动计算机。 4. 停止编号:0x0000002E 说明文字ATA-BUS-ERROR 通常的原因:系统内存奇偶校验出错,通常由硬件问题导致。 解决方法：卸掉所有新近安装的硬件(RAM、适配器、硬盘、调制解调器等等)。 运行由计算机制造商提供的系统诊断软件,尤其是硬件诊断软件。 确保硬件设备驱动程序和系统BIOS都是最新版本。 使用硬件供应商提供的系统诊断,运行内存检查来查找故障或不匹配的内存。 禁用BIOS内存选项,例如cache或shadow。 在启动后出现可用作系统列表时,按F8。在Windows高级选项菜单屏幕上,选择"启动VGA模式"，然后按回车键。如果这样做还不能解决问题,可能需要更换不同的视频适配器列表,有关支持的视频适配器列表,请参阅硬件兼容性列表。 5. 停止编号:0x0000003F 说明文字:NO-MOR-SYSTEM-PTES 通常的原因:每次正确清理驱动程序。 解决方法：禁用或卸载所有的反病毒软件，磁盘碎片处理程序或备份程序。 6. 停止错误编号:0x00000058 说明文字:FTDISK-INTERN-ERROR 通常的原因:容错集内的某个主驱动器发生故障。 解决方法： 使用Windows安装盘启动计算机,从镜象(第2)系统驱动器引导。有关如何编辑Boot.ini文件以指向镜象系统驱动器的指导,可在MIcrosoft支持服务Web站点搜索"EditARC path"。 7. 停止错误编号:0x0000007B 说明文字NACCESSI-BLE-BOOT-DEVICE 通常原因:初始化I/O系统(通常是指引导设备或文件系统)失败。 解决方法： 引导扇区病毒通常会导致这种停止错误，是用反病毒软件的最新版本,检查计算机上是否有存在病毒。如果找到病毒,则必须执行必要的方法把他从计算机上清除掉,请参阅反病毒软件文档了解如何执行这些步骤。 卸下所有新近安装的硬件(RAM、适配器、调制解调器等等)。 核对MIcrosoft硬件兼容性列表以确保所有的硬件和驱动程序都与Windows兼容。 如果使用的是SCSI适配器,可以从硬件供应商除获得最新WINDOWS驱动程序,禁用SCSI设备的同步协商,检查该SCSI链是否终结,并核对这些设备的SCSIID,如果无法确定如何执行这些步骤,可参考硬件设备的文档。 如果你用的是IDE设备,将板上的IDE端口定义为唯一的主端口，核对IDE设备的主/从/唯一设置，卸掉除硬盘之外的所有IDE设备。如果无法确认如何执行这些，可参考硬件文档。 如果计算机已使用NTFS文件系统格式化,可重新启动计算机,然后在该系统分区上运行Chkdsk/f/r命令。如果由于错误而无法启动系统,那么使用命令控制台,并运行Chkdsk /r命令。 运行Chkdsk/f命令以确定文件系统是否损坏。如果Windows不能运行Chkdsk命令,将驱动器移动到其他运行Windows的计算机上,然后从这台计算机上对该驱动器运行Chkdsk命令。 8. 停止错误编号:0x0000007F 说明文字:UNEXPECTED-KERNEL-MODE-TRAP 通常的原因:通常是由于硬件或软件问题导致,但一般都由硬件故障引起的。. 解决方法： 核对Microsoft硬件兼容性列表以确保所有的硬件和驱动程序都与Windows兼容，如果计算机主板不兼容就会产生这个问题。 卸掉所由新近安装的硬件。 运行由计算机制造商提供的所有系统诊断软件,尤其是内存检查。 禁用BIOS内存选项,例如cache或shadow。 9. 停止错误编号:0x00000050 说明文字AGE-FAULT-IN-NONPAGED-AREA 通常的原因:内存错误(数据不能使用分页文件交换到磁盘中) 解决方法： 卸掉所有的新近安装的硬件。 运行由计算机制造商提供的所有系统诊断软件，尤其是内存检查。 检查是否正确安装了所有新硬件或软件,如果这是一次全新安装,请与硬件或软件制造商联系,获得可能需要的任何Windows更新或驱动程序。 禁用或卸载所有的反病毒程序。 禁用BIOS内存选项,例如cache或shadow。 10.停止错误编号:0x0000007 说明文字：KERNEL-STEL-STACK-INPAGE-ERROR 通常的原因：无法从分页文件将内核数据所需的页面读取到内存中。 解决方法： 使用反病毒软件的最新版本，检查计算机上是否有病毒。如果找到病毒，则执行必要的步骤把他从计算机上清除掉。请参阅制造商提供的所有系统诊断软件，尤其是内存检查。 禁用BIOS内存选项，例如cache,shadow。 11.停止错误编号：0x00000079 说明文字：MISMATCHED-HAL 通常的原因：硬件抽象层与内核或机器类型不匹配（通常发生在单处理器和多处理器配置文件混合在同一系统的情况下）。 解决方法： 要解决本错误，可使用命令控制台替换计算机上错误的系统文件。 单处理器系统的内核文件是Ntoskml.exe，而多处理器系统的内核文件是Ntkrnlmp.exe，但是，这些文件要与安装媒体上的文件相对应；在安装完Windows2000后，不论使用的是哪个原文件，都会被重命名为Ntoskrnl.exe文件。HAL文件在安装之后也使用名称Hal.dll，但是在安装媒体上却有若干个可能的HAL文件。 12.停止错误编号：0x0000007A 说明文字：KERNEL-DATA-INPAGE-ERROR 通常的原因：无法从分页文件将内核数据所需的页面读取到内存中。（通常是由于分页文件上的故障，病毒，磁盘控制器错误或由故障的RAM引起的）。 解决方法： 使用反病毒软件的最新版本，检查计算机上是否存在病毒。如果找到病毒。则执行必要的步骤把他从计算机上清除掉，请参阅反病毒软件文档了解如何执行这些步骤。 如果计算机已使用NTFS文件系统格式化。可重新启动计算机，然后在该系统分区上运行Chkdsk/f/r命令。如果由于错误而无法启动命令，那么使用命令控制台，并运行Chkdsk /r命令。 13.停止错误编号：0xC000021A 说明文字：STATUS-SYSTEM-PROCESS-TERMINATED 通常的原因：用户模式子系统，例如Winlogon或客户服务器运行时子系统（CSRSS）已被损坏，所以无法再保证安全性。 解决方法： 卸掉所有新近安装的硬件。 如果无法登陆，则重新启动计算机。当出现可用的作系统列表时按F8。在Windows2000高级选项菜单屏幕上，选择："最后一次正确的配置"。然后按回车。 运行故障恢复台，并允许系统修复任何检测到的错误。 14.停止错误编号：0xC0000221 说明文字：STATUS-IMAGE-CHECKISU7M-MISMATCH 通常的原因：驱动程序或系统DLL已经被损坏。 解决方法： 运行故障复控台，并且允许系统修复任何检测到的错误。 如果在RAM添加到计算机之后，立即发生错误，那么可能是分页文件损坏，或者新RAM由故障或不兼容。删除Pagefile.sys并将系统返回到原来的RAM配置。